产品概览
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- 数据列表
- DGD2101MS8-13
产品详情
- 上升/下降时间（典型值） :
- 70ns，35ns
- 供应商器件封装 :
- 8-SO
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 工作温度 :
- -40°C ~ 125°C（TA）
- 栅极类型 :
- IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电 :
- 10V ~ 20V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :
- 290mA，600mA
- 输入类型 :
- 非反相
- 通道类型 :
- 独立式
- 逻辑电压 - VIL，VIH :
- 0.8V，2.5V
- 驱动器数 :
- 2
- 驱动配置 :
- 高压侧或低压侧
- 高压侧电压 - 最大值（自举） :
- 600 V
