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DMC3032LFDB-13

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

5.3A（Ta），3.4A（Ta）

FET 功能 :

标准

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2V @ 250µA，2.1V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

30 毫欧 @ 5.8A，10V，70 毫欧 @ 3.8A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

500pF @ 15V，336pF @ 25V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

10.6nC @ 10V，7.8nC @ 10V

供应商器件封装 :

U-DFN2020-6（B 类）

功率 - 最大值 :

800mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-UDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

N 和 P 沟道互补型