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DMC67D8UFDBQ-13

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

390mA（Ta），2.9A（Ta）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

41pF @ 25V，443pF @ 16V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

0.4pC @ 4.5V，7.3nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

U-DFN2020-6（B 类）

功率 - 最大值 :

580mW（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-UDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60V，20V

配置 :

N 和 P 沟道互补型