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DMN33D8LV-7

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

350mA（Ta）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.5V @ 100µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

2.4 欧姆 @ 250mA，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

48pF @ 5V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

1.23nC @ 10V

供应商器件封装 :

SOT-563

功率 - 最大值 :

430mW（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-563，SOT-666

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

2 N-通道（双）