产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMDT4126-7
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 2mA，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-363
- 功率 - 最大值 :
- 200mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 PNP（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 25V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 250MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
BFC238561821
BFC238562112
BFC238564202
BFC238564821
BFC238566112
BFC238568112
BFC238580202
BFC238581102
BFC238581112
BFC238584102
BFC238584112
MKT1818447066
MKP385391016JC02W0
MKP383312063JDA2B0
MKP383312063JDI2B0
MKP383312063JDM2B0
MKP383320040JDA2B0
MKP383320040JDI2B0
MKP383320040JDM2B0
MKP383343025JDA2B0
