产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- FZT849TC
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 350mV @ 300mA，6.5A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 1A，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223-3
- 功率 - 最大值 :
- 3 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 7 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1206Y5000100KAR
1206Y5000100KCR
1206Y5000100KFR
1206Y5000100KFT
1206Y5000100KQT
1206Y5000101FAR
1206Y5000101FCR
1206Y5000101FFR
1206Y5000101FFT
1206Y5000101FQT
1206Y5000101GAR
1206Y5000101GCR
1206Y5000101GFR
1206Y5000101GFT
1206Y5000101GQT
1206Y5000101JAR
1206Y5000101JCR
1206Y5000101JDR
1206Y5000101JDT
1206Y5000101JER
