产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT2222AT-7
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 150mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-523
- 功率 - 最大值 :
- 150 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-523
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 40 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG1005V-911-P-T1
RG1608V-112-P-T1
RG1608V-131-P-T1
RG1608V-132-P-T1
RG1608V-161-P-T1
RG1608V-162-P-T1
RG1608V-201-P-T1
RG1608V-202-P-T1
RG1608V-241-P-T1
RG1608V-242-P-T1
RG1608V-301-P-T1
RG1608V-302-P-T1
RG1608V-361-P-T1
RG1608V-362-P-T1
RG1608V-431-P-T1
RG1608V-432-P-T1
RG1608V-511-P-T1
RG1608V-621-P-T1
RG1608V-751-P-T1
RG1608V-911-P-T1
