产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT5551-7
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 200mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 160 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1210J0630562GAR
1210J0630562GCR
1210J0630562GFR
1210J0630562GFT
1210J0630562JAR
1210J0630562JCR
1210J0630562JDR
1210J0630562JDT
1210J0630562JFR
1210J0630562JFT
1210J0630562JXR
1210J0630562KAR
1210J0630562KCR
1210J0630562KDR
1210J0630562KDT
1210J0630562KFR
1210J0630562KFT
1210J0630562KXR
1210J0630562MDR
1210J0630562MDT
