产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT3904Q-7-F-52
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 10mA，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3
- 功率 - 最大值 :
- 310 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 40 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 200 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SI5335D-B04972-GM
SI5335D-B04988-GM
SI5335D-B05029-GM
SI5335D-B05056-GM
SI5335D-B05149-GM
SI5335D-B05185-GM
SI5335D-B05223-GM
SI5335D-B05264-GM
SI5335D-B05324-GM
SI5335D-B05325-GM
SI5335D-B05329-GM
SI5335D-B05330-GM
SI5335D-B05331-GM
SI5335D-B05332-GM
SI5335D-B05333-GM
SI5335D-B05334-GM
SI5335D-B05350-GM
SI5335D-B05475-GM
SI5335D-B05484-GM
SI5335D-B05499-GM
