产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MBR20150CT-G1
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 900 mV @ 10 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 50 µA @ 150 V
- 二极管配置 :
- 1 对共阴极
- 供应商器件封装 :
- TO-220-3
- 反向恢复时间 (trr) :
- -
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 150°C
- 技术 :
- 肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
- 150 V
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) :
- 10A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
ATSAM3SD8BA-MUR
C8051F967-B-GMR
C8051F967-B-GM
ATSAM4C8CB-AU
CY8C6246BZI-D04
CYT2B64BADQ0AZSGS
CY8C6246BZI-D04T
STM32F215RET6TR
UPD78F0730MC-CAB-AX
R5F565N9ADLJ#20
SPC560P54L5CEAAR
SPC560P60L5CEAAR
PIC16C642-10I/SP
PIC32MX460F256LT-80I/BG
DSPIC33EP128GM710T-I/PF
R5F56517FDLK#20
STM32L4P5RET6
STM32L496VET6TR
EFM32GG12B510F1024IM64-A
EFM32GG12B510F1024IM64-AR
