- 品牌：
-
- 安装类型：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
22 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 144 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 204 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 206 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 175 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 90A... |
1 | 120 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 938 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 988 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 940 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 870 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 52 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 86 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 65 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
