- 品牌：
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- Nexperia (2)
- ON Semiconductor (25)
- STMicroelectronics (12)
- Transphorm (4)
- UnitedSiC (20)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 技术：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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84 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 7,764 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 54A... |
1 | 4,302 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 5,105 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 1,730 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 4,463 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 3,110 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 120... |
1 | 2,649 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 650V 27A... |
1 | 5,519 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 9,080 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 6,945 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 12,356 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 404 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 54A... |
1 | 637 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 54A... |
1 | 393 | 加入询价 | |
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Nexperia | GAN041-650WSB/SOT429/... |
1 | 137 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 46.5 GAN FET |
1 | 564 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 13,504 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 650V/40MOHM, SIC, ST... |
1 | 8,657 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 650V 62A... |
1 | 380 | 加入询价 | |
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Nexperia | GANFET N-CH 650V 34.... |
1 | 520 | 加入询价 |
