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IMBG65R022M1HXTMA1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

64A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

+23V，-5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

5.7V @ 12.3mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

30 毫欧 @ 41.1A，18V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2288 pF @ 400 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

67 nC @ 18 V

供应商器件封装 :

PG-TO263-7-12

功率耗散（最大值） :

300W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

650 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

18V