数据列表

IMW65R057M1HXKSA1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

35A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

+20V，-2V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

5.7V @ 5mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

74 毫欧 @ 16.7A，18V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

930 pF @ 400 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

28 nC @ 18 V

供应商器件封装 :

PG-TO247-3-41

功率耗散（最大值） :

133W（Tc）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-247-3

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

650 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

18V