- 品牌：
-
- Nexperia (2)
- ON Semiconductor (25)
- STMicroelectronics (12)
- Transphorm (4)
- UnitedSiC (20)
- 安装类型：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 技术：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
84 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 65... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | AUTOMOTIVE-GRADE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 65... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 65... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-3L 650V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 65... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-3L 650V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 2,000 | 加入询价 |
