- 品牌：
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- ON Semiconductor (12)
- STMicroelectronics (10)
- UnitedSiC (6)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 7,764 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 650V 27A... |
1 | 5,519 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 650V/40MOHM, SIC, ST... |
1 | 8,657 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 65... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 786 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 830 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 90A... |
1 | 120 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 938 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 988 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 940 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 41A... |
1 | 678 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 870 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 65A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 65A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | AUTOMOTIVE-GRADE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 650V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
