- 品牌：
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- Nexperia (2)
- ON Semiconductor (25)
- STMicroelectronics (12)
- Transphorm (4)
- UnitedSiC (20)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 技术：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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84 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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UnitedSiC | SICFET N-CH 650V 85A... |
1 | 1,140 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 36A... |
1 | 138 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | E SERIES POWER MO... |
1 | 530 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | E SERIES POWER MO... |
1 | 509 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 65... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 144 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 626 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 204 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 450 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 634 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-3L 650V |
1 | 570 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 206 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 175 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 627 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 786 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 830 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 90A... |
1 | 120 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 938 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 988 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 940 | 加入询价 |
