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TLE2062IDR

-3db 带宽 :

-

供应商器件封装 :

8-SOIC

压摆率 :

3.4V/µs

增益带宽积 :

2 MHz

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-40°C ~ 85°C（TA）

放大器类型 :

J-FET

电压 - 跨度（最大值） :

36 V

电压 - 跨度（最小值） :

7 V

电压 - 输入补偿 :

900 µV

电流 - 供电 :

625µA（x2 通道）

电流 - 输入偏置 :

4 pA

电流 - 输出/通道 :

80 mA

电路数 :

2

输出类型 :

-