数据列表

SG1626T

上升/下降时间（典型值） :

30ns，30ns

供应商器件封装 :

TO-99

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-99-8 金属罐

工作温度 :

-55°C ~ 125°C（TJ）

栅极类型 :

N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

22V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

3A

输入类型 :

反相

通道类型 :

独立式

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.7V，2V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-