数据列表

IXDN604WW

上升/下降时间（典型值） :

9ns，8ns

供应商器件封装 :

-

安装类型 :

-

封装/外壳 :

-

工作温度 :

-

栅极类型 :

IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

4.5V ~ 35V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

4A，4A

输入类型 :

非反相

通道类型 :

独立式

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.8V，3V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

低端

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-