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HIP2123FRTAZ-T

上升/下降时间（典型值） :

10ns，10ns

供应商器件封装 :

10-TDFN（4x4）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

10-WDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

栅极类型 :

N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

8V ~ 14V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

2A，2A

输入类型 :

反相

通道类型 :

独立式

逻辑电压 - VIL，VIH :

1.4V，2.2V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

114 V