数据列表

IX2R11P7

上升/下降时间（典型值） :

8ns，7ns

供应商器件封装 :

14-PDIP

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

14-DIP（0.300"，7.62mm）

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

栅极类型 :

IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

10V ~ 35V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

2A，2A

输入类型 :

非反相

通道类型 :

独立式

逻辑电压 - VIL，VIH :

6V，9.6V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

500 V