数据列表

2ED020I12-F

上升/下降时间（典型值） :

-

供应商器件封装 :

PG-DSO-18-2

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

工作温度 :

-

栅极类型 :

IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

0V ~ 18V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

1A，2A

输入类型 :

反相

通道类型 :

独立式

逻辑电压 - VIL，VIH :

-

驱动器数 :

2

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

1200 V