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LT1162CN

上升/下降时间（典型值） :

130ns，60ns

供应商器件封装 :

24-PDIP

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

24-DIP（0.300"，7.62mm）

工作温度 :

0°C ~ 125°C（TJ）

栅极类型 :

N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

10V ~ 15V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

1.5A，1.5A

输入类型 :

非反相

通道类型 :

独立式

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.8V，2V

驱动器数 :

4

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

60 V