数据列表

MAX8552ETB+T

上升/下降时间（典型值） :

14ns，9ns

供应商器件封装 :

10-TDFN（3x3）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

10-WFDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

栅极类型 :

N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

4.5V ~ 6.5V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

-

输入类型 :

非反相

通道类型 :

同步

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.8V，2.5V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-