数据列表

NCV51511PDR2G

上升/下降时间（典型值） :

6ns，4ns

供应商器件封装 :

8-SOIC-EP

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

栅极类型 :

N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

8V ~ 16V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

3A，6A

输入类型 :

非反相

通道类型 :

同步

逻辑电压 - VIL，VIH :

2V，1.8V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

高压侧或低压侧

高压侧电压 - 最大值（自举） :

100 V