数据列表

UCC27512DRST

上升/下降时间（典型值） :

8ns，7ns

供应商器件封装 :

6-SON（3x3）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-WDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-40°C ~ 140°C（TJ）

栅极类型 :

IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

4.5V ~ 18V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

4A，8A

输入类型 :

反相，非反相

通道类型 :

单路

逻辑电压 - VIL，VIH :

1V，2.4V

驱动器数 :

1

驱动配置 :

低端

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-