数据列表

IX4351NETR

上升/下降时间（典型值） :

10ns，10ns

供应商器件封装 :

16-SOIC-EP

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘

工作温度 :

-40°C ~ 125°C（TA）

栅极类型 :

IGBT，SiC MOSFET

电压 - 供电 :

-10V ~ 25V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

9A，9A

输入类型 :

CMOS，TTL

通道类型 :

单路

逻辑电压 - VIL，VIH :

1V，2.2V

驱动器数 :

1

驱动配置 :

低端

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-