数据列表

1EDN8511BXUSA1

上升/下降时间（典型值） :

6.5ns，4.5ns

供应商器件封装 :

PG-SOT23-6-2

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-23-6

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

栅极类型 :

N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

8V ~ 20V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

4A，8A

输入类型 :

反相，非反相

通道类型 :

单路

逻辑电压 - VIL，VIH :

1.2V，1.9V

驱动器数 :

1

驱动配置 :

半桥，低压侧

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-