数据列表

MT47H512M8WTR-25E:C

供应商器件封装 :

63-FBGA（9x11.5）

写周期时间 - 字，页 :

15ns

存储器接口 :

并联

存储器格式 :

DRAM

存储器类型 :

易失

存储器组织 :

512M x 8

存储容量 :

4Gb

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

63-TFBGA

工作温度 :

0°C ~ 85°C（TC）

技术 :

SDRAM - DDR2

时钟频率 :

400 MHz

电压 - 供电 :

1.7V ~ 1.9V

访问时间 :

400 ps