产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- CY14B104L-ZS20XI
产品详情
- 供应商器件封装 :
- 44-TSOP II
- 写周期时间 - 字,页 :
- 20ns
- 存储器接口 :
- 并联
- 存储器格式 :
- NVSRAM
- 存储器类型 :
- 非易失
- 存储器组织 :
- 512K x 8
- 存储容量 :
- 4Mb
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
- 工作温度 :
- -40°C ~ 85°C(TA)
- 技术 :
- NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 时钟频率 :
- -
- 电压 - 供电 :
- 2.7V ~ 3.6V
- 访问时间 :
- 20 ns
采购与库存
推荐产品
您可能在找
ERB21B5C2E3R9CDX1K
ERB21B5C2E470FDX1K
ERB21B5C2E470GDX1L
ERB21B5C2E4R0CDX1L
ERB21B5C2E4R3CDX1K
ERB21B5C2E4R7CDX1K
ERB21B5C2E560FDX1K
ERB21B5C2E5R0BDX1L
ERB21B5C2E5R1BDX1K
ERB21B5C2E5R6BDX1K
ERB21B5C2E5R6DDX1K
ERB21B5C2E6R2BDX1K
ERB21B5C2E6R8BDX1K
ERB21B5C2E6R8DDX1K
ERB21B5C2E7R5BDX1K
ERB21B5C2E7R5DDX1K
ERB21B5C2E7R5DDX1L
ERB21B5C2E8R0CDX1L
ERB21B5C2E8R0DDX1L
ERB21B5C2E8R2BDX1K
