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MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR

供应商器件封装 :

200-TFBGA（10x14.5）

写周期时间 - 字，页 :

18ns

存储器接口 :

并联

存储器格式 :

DRAM

存储器类型 :

易失

存储器组织 :

256M x 16

存储容量 :

4Gb

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

200-TFBGA

工作温度 :

-30°C ~ 85°C（TC）

技术 :

SDRAM - 移动 LPDDR4X

时钟频率 :

2.133 GHz

电压 - 供电 :

1.06V ~ 1.17V

访问时间 :

3.5 ns