产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- W66BM6NBUAHJ TR
产品详情
- 供应商器件封装 :
- 200-WFBGA(10x14.5)
- 写周期时间 - 字,页 :
- 18ns
- 存储器接口 :
- LVSTL_11
- 存储器格式 :
- DRAM
- 存储器类型 :
- 易失
- 存储器组织 :
- 128M x 16
- 存储容量 :
- 2Gb
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 200-WFBGA
- 工作温度 :
- -40°C ~ 105°C(TC)
- 技术 :
- SDRAM - 移动 LPDDR4X
- 时钟频率 :
- 2.133 GHz
- 电压 - 供电 :
- 1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
- 访问时间 :
- 3.5 ns
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GA0603A1R0CBCAR31G
GA0603A1R0CBCAT31G
GA0603A1R0CXAAC31G
GA0603A1R0CXAAP31G
GA0603A1R0CXBAC31G
GA0603A1R0CXBAP31G
GA0603A1R0CXCAC31G
GA0603A1R0CXCAP31G
GA0603A1R0DBAAR31G
GA0603A1R0DBAAT31G
GA0603A1R0DBBAR31G
GA0603A1R0DBBAT31G
GA0603A1R0DBCAR31G
GA0603A1R0DBCAT31G
GA0603A1R0DXAAC31G
GA0603A1R0DXAAP31G
GA0603A1R0DXBAC31G
GA0603A1R0DXBAP31G
GA0603A1R0DXCAC31G
GA0603A1R0DXCAP31G
