产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- W66BM6NBUAHJ TR
产品详情
- 供应商器件封装 :
- 200-WFBGA(10x14.5)
- 写周期时间 - 字,页 :
- 18ns
- 存储器接口 :
- LVSTL_11
- 存储器格式 :
- DRAM
- 存储器类型 :
- 易失
- 存储器组织 :
- 128M x 16
- 存储容量 :
- 2Gb
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 200-WFBGA
- 工作温度 :
- -40°C ~ 105°C(TC)
- 技术 :
- SDRAM - 移动 LPDDR4X
- 时钟频率 :
- 2.133 GHz
- 电压 - 供电 :
- 1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
- 访问时间 :
- 3.5 ns
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN731JTTD3920F100
RN731JTTD54R9D25
RN731JTTD5422F25
RN731JTTD37R0C50
RN731JTTD3901B25
RN731JTTD3880D25
RN731JTTD36R0C25
RN731JTTD38R3C25
RN731JTTD3921D50
RN731JTTD3881F25
RN731JTTD5690B50
RN731JTTD3830D10
RN731JTTD55R6D50
RN731JTTD3651C50
RN731JTTD5621F100
RN731JTTD5692F50
RN731JTTD55R6B50
RN731JTTD38R3D100
RN731JTTD36R1C50
RN731JTTD3832C50
