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W63AH2NBVADE TR

供应商器件封装 :

178-VFBGA（11x11.5）

写周期时间 - 字，页 :

15ns

存储器接口 :

HSUL_12

存储器格式 :

DRAM

存储器类型 :

易失

存储器组织 :

32M x 32

存储容量 :

1Gb

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

178-VFBGA

工作温度 :

-25°C ~ 85°C（TC）

技术 :

SDRAM - Mobile LPDDR3

时钟频率 :

1.066 GHz

电压 - 供电 :

1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V

访问时间 :

5.5 ns