产品概览
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- 数据列表
 - W63AH2NBVADE TR
 
产品详情
- 供应商器件封装 :
 - 178-VFBGA(11x11.5)
 
- 写周期时间 - 字,页 :
 - 15ns
 
- 存储器接口 :
 - HSUL_12
 
- 存储器格式 :
 - DRAM
 
- 存储器类型 :
 - 易失
 
- 存储器组织 :
 - 32M x 32
 
- 存储容量 :
 - 1Gb
 
- 安装类型 :
 - 表面贴装型
 
- 封装/外壳 :
 - 178-VFBGA
 
- 工作温度 :
 - -25°C ~ 85°C(TC)
 
- 技术 :
 - SDRAM - Mobile LPDDR3
 
- 时钟频率 :
 - 1.066 GHz
 
- 电压 - 供电 :
 - 1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V
 
- 访问时间 :
 - 5.5 ns
 
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