数据列表

TH58NYG2S3HBAI4

供应商器件封装 :

63-BGA（9x11）

写周期时间 - 字，页 :

25ns

存储器接口 :

并联

存储器格式 :

闪存

存储器类型 :

非易失

存储器组织 :

512M x 8

存储容量 :

4Gb

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

63-BGA

工作温度 :

-40°C ~ 85°C（TA）

技术 :

FLASH - NAND（SLC）

时钟频率 :

-

电压 - 供电 :

1.7V ~ 1.95V

访问时间 :

-