产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MG12200D-BA1MM
产品详情
- IGBT 类型 :
- -
- NTC 热敏电阻 :
- 无
- 不同 Vce 时输入电容 (Cies) :
- 14.9 nF @ 25 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
- 1.8V @ 15V,200A(标准)
- 供应商器件封装 :
- D3
- 功率 - 最大值 :
- 1400 W
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- 模块
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C(TJ)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 300 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1 mA
- 输入 :
- 标准
- 配置 :
- 半桥
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GA1210A332FBBAT31G
GA1210A332FBCAR31G
GA1210A332FBCAT31G
GA1210A332FXAAR31G
GA1210A332FXAAT31G
GA1210A332FXBAR31G
GA1210A332FXBAT31G
GA1210A332FXCAR31G
GA1210A332FXCAT31G
GA1210A332GBAAR31G
GA1210A332GBAAT31G
GA1210A332GBBAR31G
GA1210A332GBBAT31G
GA1210A332GBCAR31G
GA1210A332GBCAT31G
GA1210A332GXAAR31G
GA1210A332GXAAT31G
GA1210A332GXBAR31G
GA1210A332GXBAT31G
GA1210A332GXCAR31G
