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VS-GT100TP120N

IGBT 类型 :

沟道

NTC 热敏电阻 :

无

不同 Vce 时输入电容 (Cies) :

12.8 nF @ 30 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.35V @ 15V，100A

供应商器件封装 :

INT-A-PAK

功率 - 最大值 :

652 W

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

INT-A-PAK（3 + 4）

工作温度 :

175°C（TJ）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

180 A

电流 - 集电极截止（最大值） :

5 mA

输入 :

标准

配置 :

半桥