产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- VS-GA200HS60S1PBF
产品详情
- IGBT 类型 :
- -
- NTC 热敏电阻 :
- 无
- 不同 Vce 时输入电容 (Cies) :
- 32.5 nF @ 30 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
- 1.21V @ 15V,200A
- 供应商器件封装 :
- INT-A-PAK
- 功率 - 最大值 :
- 830 W
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- INT-A-Pak
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C(TJ)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 480 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1 mA
- 输入 :
- 标准
- 配置 :
- 半桥
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-8354A30MA-JQPT1U
S-8354A38MC-JQXT2G
S-8354A40MC-JQZT2U
S-8354A50MC-JRJT2U
S-8354C30MA-JSPT2G
S-8354D30MC-JUPT2G
S-8354D33MC-JUST2G
S-8354H25MC-JWKT2G
S-8354H25MC-JWKT2U
S-8354H27MC-JWMT2U
S-8354H30MC-JWPT2U
S-8354H31MC-JWQT2G
S-8354H31MC-JWQT2U
S-8354H35MC-JWUT2G
S-8354H35MC-JWUT2U
S-8354H40MC-JWZT2G
S-8354H40MC-JWZT2U
S-8354H42MC-JXBT2G
S-8354H45MC-JXET2G
S-8354H47MC-JXGT2G
