数据列表

NXH50M65L4C2ESG

IGBT 类型 :

-

NTC 热敏电阻 :

是

不同 Vce 时输入电容 (Cies) :

2.608 nF @ 20 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.2V @ 15V，75A

供应商器件封装 :

27-DIP

功率 - 最大值 :

20 mW

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

27-PowerDIP 模块（1.858"，47.20mm）

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

50 A

电流 - 集电极截止（最大值） :

250 µA

输入 :

单相桥式整流器

配置 :

三相反相器