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RJP65T54DPM-E0#T2

25°C 时 Td（开/关）值 :

35ns/120ns

IGBT 类型 :

沟道

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

1.68V @ 15V，30A

供应商器件封装 :

TO-3PF

功率 - 最大值 :

63.5 W

反向恢复时间 (trr) :

-

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-3PFM，SC-93-3

工作温度 :

175°C（TJ）

开关能量 :

330µJ（开），760µJ（关）

栅极电荷 :

72 nC

测试条件 :

400V，30A，10 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

225 A

输入类型 :

标准