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IKD04N60RAATMA1

25°C 时 Td（开/关）值 :

14ns/146ns

IGBT 类型 :

沟道

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.1V @ 15V，4A

供应商器件封装 :

PG-TO252-3

功率 - 最大值 :

75 W

反向恢复时间 (trr) :

43 ns

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

90µJ（开），150µJ（关）

栅极电荷 :

27 nC

测试条件 :

400V，4A，43 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

8 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

12 A

输入类型 :

标准