数据列表

IXGQ50N60B4D1

25°C 时 Td（开/关）值 :

37ns/330ns

IGBT 类型 :

PT

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

1.8V @ 15V，36A

供应商器件封装 :

TO-3P

功率 - 最大值 :

300 W

反向恢复时间 (trr) :

25 ns

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-3P-3，SC-65-3

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

开关能量 :

930µJ（开），1mJ（关）

栅极电荷 :

110 nC

测试条件 :

400V，36A，10 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

230 A

输入类型 :

标准