产品概览
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- 数据列表
- IKD04N60R
产品详情
- 25°C 时 Td(开/关)值 :
- 14ns/146ns
- IGBT 类型 :
- 沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
- 2.1V @ 15V,4A
- 供应商器件封装 :
- PG-TO252-3-11
- 功率 - 最大值 :
- 75 W
- 反向恢复时间 (trr) :
- 43 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C(TJ)
- 开关能量 :
- 240µJ
- 栅极电荷 :
- 27 nC
- 测试条件 :
- 400V,4A,43 欧姆,15V
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 8 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
- 12 A
- 输入类型 :
- 标准
采购与库存
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