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- 数据列表
- RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
产品详情
- 25°C 时 Td(开/关)值 :
- 29ns/113ns
- IGBT 类型 :
- 沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
- 2V @ 15V,75A
- 供应商器件封装 :
- TO-247A
- 功率 - 最大值 :
- 312 W
- 反向恢复时间 (trr) :
- 72 ns
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-247-3
- 工作温度 :
- 175°C(TJ)
- 开关能量 :
- 1.6mJ(开),1mJ(关)
- 栅极电荷 :
- 54 nC
- 测试条件 :
- 400V,75A,16 欧姆,15V
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 150 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
- -
- 输入类型 :
- 标准
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