数据列表

IGB20N60H3ATMA1

25°C 时 Td（开/关）值 :

16ns/194ns

IGBT 类型 :

沟槽型场截止

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.4V @ 15V，20A

供应商器件封装 :

PG-TO263-3

功率 - 最大值 :

170 W

反向恢复时间 (trr) :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

690µJ

栅极电荷 :

120 nC

测试条件 :

400V，20A，14.6 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

80 A

输入类型 :

标准