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IGB10N60TATMA1

25°C 时 Td（开/关）值 :

12ns/215ns

IGBT 类型 :

NPT，沟槽型场截止

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.05V @ 15V，10A

供应商器件封装 :

PG-TO263-3-2

功率 - 最大值 :

110 W

反向恢复时间 (trr) :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

430µJ

栅极电荷 :

62 nC

测试条件 :

400V，10A，23 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

30 A

输入类型 :

标准