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STGD4M65DF2

25°C 时 Td（开/关）值 :

12ns/86ns

IGBT 类型 :

沟槽型场截止

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.1V @ 15V，4A

供应商器件封装 :

DPAK

功率 - 最大值 :

68 W

反向恢复时间 (trr) :

133 ns

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

40µJ（开），136µJ（关）

栅极电荷 :

15.2 nC

测试条件 :

400V，4A，47 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

8 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

16 A

输入类型 :

标准