产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- RGT30NS65DGC9
产品详情
- 25°C 时 Td(开/关)值 :
- 18ns/64ns
- IGBT 类型 :
- 沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
- 2.1V @ 15V,15A
- 供应商器件封装 :
- TO-262
- 功率 - 最大值 :
- 133 W
- 反向恢复时间 (trr) :
- 55 ns
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C(TJ)
- 开关能量 :
- -
- 栅极电荷 :
- 32 nC
- 测试条件 :
- 400V,15A,10 欧姆,15V
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
- 45 A
- 输入类型 :
- 标准
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C430C182G3G5TA
C430C202G3G5TA
C430C512G3G5TA
C430C562G3G5TA
C430C103G3G5TA
C430C182G2G5TA
C430C202G2G5TA
C430C182GAG5TA
C430C202GAG5TA
1812B473K251CT
1812B473M251CT
1812B223M251CT
1812B223K201CT
1812B223K251CT
1812B333K201CT
1812B333K251CT
1812B333M251CT
1812B153M251CT
1812B153K251CT
C3225X7R2E154M200AA
