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RF FET,MOSFET
A2G35S160-01SR3
产品概览
产品型号
A2G35S160-01SR3
制造商
NXP Semiconductors
产品类别
RF FET,MOSFET
产品描述
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
文档与媒体
数据列表
A2G35S160-01SR3
产品详情
供应商器件封装 :
NI-400S-2S
功率 - 输出 :
51dBm
噪声系数 :
-
增益 :
15.7dB
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
NI-400S-2S
技术 :
LDMOS
电压 - 测试 :
48 V
电压 - 额定 :
125 V
电流 - 测试 :
190 mA
配置 :
-
频率 :
3.4GHz ~ 3.6GHz
额定电流(安培) :
-
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