数据列表

NXV08B800DT1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

-

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4.6V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

0.46 毫欧 @ 160A，12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

30150pF @ 40V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

502nC @ 12V

供应商器件封装 :

APM17-MDC

功率 - 最大值 :

-

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

17-PowerDIP 模块（1.390"，35.30mm）

工作温度 :

-40°C ~ 125°C（TA）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

80V

配置 :

-